改良後檢測成果

Improved test results

改良後檢測結果

檢測成果圖展示

Performance：Aixtron 2800 G4 IC2: 4” x12pcs

週期初：3rd run

週期中：10th run

週期中末：23th run

碩豐設計：量產均勻性提升（母盤及子盤設計）

Performance：Aixtron 2800 G4 IC2: 4” x15pcs －變更設計：satellite disk for LED production

‧改善後結果：產品chip 亮度良率提升

原廠設計：牛頓環(厚度均勻性差)

Design #1

Design #2

‧AlAs/AlGaAs DBR: SBC 均勻性由0.77%(原廠子盤) 優化到 0.295% (碩豐子盤)
‧Stop band center λ=4nd→厚度均勻性改善

碩豐子盤：Φ220mm, 350um

碩豐子盤：Φ220mm, 450um

碩豐子盤：Φ221mm, 350um

原廠子盤：Φ220mm, 620um

‧InGaAs /AlGaAs MQW: PL均勻性由0.23%(原廠子盤) 優化到 0.176% (碩豐子盤)

碩豐子盤：Φ220mm, 350um

碩豐子盤：Φ220mm, 450um

碩豐子盤：Φ221mm, 350um

原廠子盤：Φ220mm, 620um

Performance：Aixtron 2600 G3: 4” x12pcs

變更設計：susceptor, collector ring, satellite disk － LED production

變更設計：susceptor, collector ring, satellite disk － VCSEL production

‧原廠設計

‧優化設計

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