快速熱退火(Rapid Thermal Annealing, RTA)是指將材料快速加溫至目標溫度，根據材料維持不同的保溫時間，然後進行快速冷卻，目的是改善材料的微結構，並使材料成分或組織獲得調控。RTA應用於半導體中，退火的作用就是透過加熱來恢復晶體的單晶結構，並活化當中的摻雜物質。
ICP蝕刻製程是利用電漿來進行薄膜的蝕刻。
石墨承載盤具備耐高溫、熱膨脹係數低、導熱性佳、均溫性佳且耐電漿轟擊等特點，多應用於半導體及LED產業ICP蝕刻製程、PSS蝕刻製程、RTA快速升溫熱處理用。
E-gun電子槍金屬蒸鍍是利用電子束來進行靶材的加熱，靶材需要放置在可耐高溫的石墨坩鍋中，其原理是利用高壓電使鎢絲線圈產生電子後，再透過偏向磁鐵將電子束旋轉180度或270度轟擊靶材，在高真空下靶材的熔點與沸點接近，容易使其蒸發，高能的電子可以將靶材熔化成液態並蒸發，後沉積附著於待鍍基板上。
石墨具有良好的導電和導熱性能，石墨晶舟作為鍍膜工程時晶片的載體，由許多間隔固定的舟片所組成，在相鄰的舟片間通交流電壓可以使其形成正負電極，反應過程中正負電極間的氣體會解離產生輝光效應，形成電漿沉積在晶片表面，而這層結構緻密的保護層，在半導體製程中可以當作阻障層或保護層來使用。
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