單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，以石墨加熱器將多晶材料熔化，用柴氏法（直拉法）生長無錯位單晶的設備。可以獲取半導體（矽、鍺和砷化鎵等）、金屬（鈀、鉑、銀、金等）、鹽、合成寶石等單晶材料，單晶主要應用於半導體產業及太陽能產業。
在柴氏法中，高純度多晶材料在坩堝中被加熱至熔融狀態，然後將末端裝有晶種的棒子緩慢下放到熔液中，當晶種與熔液熔接後，在合適的熱場環境下，旋轉並緩慢向上提拉晶種，後續再經過引晶、縮頸、放肩、轉肩、等徑、收尾等過程，即完成一根單晶棒的拉晶工程。
良好的熱場可以生長出高質量的單晶，而單晶的品質會直接影響後續製程的良率，熱場系統主要包含單晶爐內的坩堝、導流筒、保溫筒、加熱器等，主要由石墨製成；在拉製晶棒的過程中，石墨耐高溫、抗腐蝕、導熱性強等特點是非常重要的特性。
加熱器的作用是提供材料熔化的熱源。
坩堝的作用是承載內層的石英坩堝。
因其原料碳含量高，因而具有強大的導熱性、耐腐蝕性等一系列碳元素所具備的優勢。
石墨坩堝這種石墨製品有著許多的分類和不同的型號，有的是圓形的，也有的是方形的，比較有的是直筒型和異型的。
這些不同類型的石墨坩堝被應用在不同領域，也有著不同的生產方法。
保溫筒的作用是阻止內部熱量向外傳導，構建熱場空間。
導流筒的作用是阻止外部熱量傳導至內部，使晶棒生長速率提升。
應用於拉單晶、矽工業、半導體、工業爐、高溫爐、壓力爐，目前在單晶爐熱場。
其特徵在於：包括下護盤壓片和護盤壓片上蓋，護盤壓片上蓋為有一定容積的下端開口的結構。
護盤壓片上蓋的下沿與下護盤壓片的上表面固定連接，在護盤壓片上蓋與下護盤壓片之間形成一個可放置隔熱材料的空腔，在下護盤壓片和護盤壓片上蓋的空腔中填充隔熱材料，
使得在維持原護盤壓片防護隔熱材料的功能的基礎上，還具有底部保溫的功能，並且結構簡單。
石墨電極支架應用在單晶爐石墨熱場中，用來穩定熱場中的石墨電極，起到穩定支撐作用。
包括單點連接石墨電極的主支架，其特徵在於：石墨電極下方安裝有支撐桿，支撐桿透過上端的石墨電流匹配塊與石墨電極支撐連接，
石墨下端設置支撐桿，並與石墨電流匹配塊接觸，支撐桿下端設置水平微調裝置，用於調節石墨電極的水平，以確保正常生產。
一般都用在單晶爐熱場系統之中，熱場的優劣對單晶矽的質量影響比較大，熱場中的每個部件都起著關鍵性作用。
在單晶爐熱場系統中石墨電極套一般位於石墨電極外，簡單來說就是用來保護石墨電極，從而可以確保石墨電極以及整個單晶爐熱場系統運作正常。
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