MOCVD-有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)
MOCVD成長薄膜時，主要將載流氣體(Carrier gas)通過有機金屬反應源的容器時，將反應源的飽和蒸氣帶至反應腔中與其它反應氣體混合，然後在被加熱的基板上面發生化學反應促成薄膜的成長。
於MOCVD反應腔內承載晶片的基座需要具備耐高溫、熱傳導率均勻、化學穩定性良好和較強的抗熱震性等特點，而石墨材料正好滿足這些要求。
MOCVD 製程中使用的基座，可用於氮化鎵(GaN)、GaN on Si、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)之應用。顯示器背光源等是此工序製造的主要產品。
MOCVD反應腔中之碳化矽蓋板與載盤，多用於化合物半導體磊晶製程。
引導平面氣流排出。
匯集氣體引導至排氣孔。
MOCVD反應時，阻隔上蓋與腔體內之溫度差，以及防coating掉落至沉積物。
Wafer石墨承載盤，規格：4″、6″、8″，可客製。
在生產週期前調適腔體環境，或是測試RUN不滿鍋的狀況下，使用Dummy Wafer來填滿，避免在磊晶過程中沉積物質附著於子盤上。
採用特殊網格狀設計，運用不同平面增加沉積物方向，不僅增加RUN數也能減少翹曲發生。
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